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NTAT6H406NT4G Especificaciones técnicas

NCH 80V 175A 2.9MOHM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 175A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Vgs (Max) ±20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 90W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8040pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status RoHS Compliant
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NTAT6H406NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0

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