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NSVMMUN2235LT1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 246mW |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 246mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSVMMUN2235LT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVMMUN2235LT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVMM" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVMM'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVMMBD352WT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2717 |
NSVMMBD352WT1G | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores | |
NSVMMBD353LT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 3287 |
NSVMMBD353LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2620 |
NSVMMBD353LT1G | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores | |
NSVMMBD354LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - RF | 2588 |
NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | Diodos RF | |
NSVMMBD717LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2773 |
NSVMMBD717LT1G | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores | |
NSVMMBT2222AM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2683 |
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