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NSVMBT3904DW1T3G Especificaciones técnicas

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Max Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 200mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Frequency - Transition 300MHz
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 150mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA 1V
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVMBD54DWT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2507
NSVMBD54DWT1G ON Semiconductor Matriz de Diodos Rectificadores
NSVMBD770DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2515
NSVMBD770DW1T1G ON Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
NSVMBT3904DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2760

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