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NSVDTC144WET1G Especificaciones técnicas

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Reference Standard AEC-Q101
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Resistor - Base (R1) 47 k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.47
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'NSVDT' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVDTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2770
NSVDTA113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2515
NSVDTA114EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2747
NSVDTA114EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114YM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2600
NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA115EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30215
NSVDTA115EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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