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NSVDTA143EM3T5G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 260mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Max Power Dissipation 260mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 k Ω
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVDTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2770
NSVDTA113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2515
NSVDTA114EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2747
NSVDTA114EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114YM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2600
NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA115EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30215
NSVDTA115EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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