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NSVBCW32LT1G Especificaciones técnicas
NSVBCW32LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | DUAL |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Configuration | SINGLE |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500μA, 10mA |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 225mW |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 32V |
Lead Free | Lead Free |
NSVBCW32LT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVBCW32LT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVBC" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVBC'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVBC114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 8344 |
NSVBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 4000 |
NSVBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 4268 |
NSVBC114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2543 |
NSVBC114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114YPDXV65G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2692 |
NSVBC114YPDXV65G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2747 |
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