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NSVBC847BDW1T2G
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NSVBC847BDW1T2G Especificaciones técnicas
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 380mW |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Frequency - Transition | 100MHz |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Polarity | NPN |
Power - Max | 380mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Transition Frequency | 100MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 50V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSVBC847BDW1T2G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVBC847BDW1T2G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVBC" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVBC'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVBC114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 8344 |
NSVBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 4000 |
NSVBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 4268 |
NSVBC114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2543 |
NSVBC114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114YPDXV65G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2692 |
NSVBC114YPDXV65G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBC114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2747 |
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