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NSTB1002DXV5T1 Especificaciones técnicas

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-553
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 500mW
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Pin Count 5
Qualification Status Not Qualified
Configuration CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V / 100 @ 1mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 40V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Turn Off Time-Max (toff) 300ns
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 2
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Max Collector Current 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 200mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Turn On Time-Max (ton) 70ns
Lead Free Contains Lead
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Las siguientes partes incluyen  'NSTB1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSTB1002DXV5T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3937
NSTB1002DXV5T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3050
NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSTB1003DXV5T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2564
NSTB1003DXV5T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSTB1004DXV5T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 8203
NSTB1004DXV5T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSTB1005DXV5T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Propósito Especial 28000
NSTB1005DXV5T1 ON Semiconductor Transistores Especializados
NSTB1005DXV5T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Propósito Especial 108065

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