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NSS30100LT1G Especificaciones técnicas
NSS30100LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | -30V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 100MHz |
Base Part Number | NSS30100 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 710mW |
Transistor Application | SWITCHING |
Gain Bandwidth Product | 100MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Collector Emitter Saturation Voltage | -650mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 50V |
hFE Min | 100 |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 310mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -1A |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 310mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 30V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 200mA, 2A |
Transition Frequency | 100MHz |
Max Breakdown Voltage | 30V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NSS30100LT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSS30100LT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSS30" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSS30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSS30070MR6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 15583 |
NSS30070MR6T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS30071MR6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9408 |
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS30100LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 6352 |
NSS30100LT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 4517 |
NSS30101LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 12727 |
NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS3010LT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 2733 |
NSS30201MR6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 15544 |
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