NSS30100LT1G Especificaciones técnicas

NSS30100LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 100MHz
Base Part Number NSS30100
Number of Elements 1
Power Dissipation 710mW
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Collector Emitter Saturation Voltage -650mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 100
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 310mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -1A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Power - Max 310mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 30V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSS30070MR6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15583
NSS30070MR6T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS30071MR6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9408
NSS30071MR6T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS30100LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6352
NSS30100LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4517
NSS30101LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12727
NSS30101LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS3010LT1G ON CIs Calientes Especializados 2733
NSS30201MR6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15544

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