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NSM4002MR6T1G Especificaciones técnicas

ON SEMICONDUCTOR NSM4002MR6T1GBipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 500 W, 500 mA, 40, SC-74

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Max Power Dissipation 500mW
Element Configuration Dual
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA 500mA
Max Breakdown Voltage 45V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
Continuous Collector Current 500mA
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity NPN
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA 1V / 250 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V 45V
Collector Emitter Saturation Voltage 700mV
Frequency - Transition 300MHz 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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NSM4002MR6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2597

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