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NSBC143TDXV6T1G Especificaciones técnicas

Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
hFE Min 160
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Base Part Number NSBC1*
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 357mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "NSBC1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NSBC1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2569

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