NJW0302G Especificaciones técnicas

NJW0302G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Frequency 30MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 150W
Gain Bandwidth Product 30MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 15A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 250V
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 20.1mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 150W
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 3A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A
Transition Frequency 30MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 250V
hFE Min 75
Length 15.8mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NJW0302G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2224
NJW0302G/NJW0281G ON CIs Calientes Especializados 2312

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