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NJVNJD1718T4G Especificaciones técnicas
NJVNJD1718T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Frequency | 80MHz |
Power Dissipation | 1.68W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 1.68W |
Number of Elements | 1 |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 50V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NJVNJD1718T4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NJVNJD1718T4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NJVNJ" partes
Las siguientes partes incluyen 'NJVNJ'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NJVNJD1718T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2632 |
NJVNJD2873T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1226 |
NJVNJD2873T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVNJD2873T4G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2698 |
NJVNJD2873T4G-VF01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2613 |
NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVNJD35N04G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2564 |
NJVNJD35N04G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVNJD35N04T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2585 |
NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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