NJVMJD42CT4G-VF01 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 100V 6A DPAK-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transition Frequency 3MHz
DC Current Gain-Min (hFE) 15
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Element Material SILICON
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type PNP
Collector Current-Max (IC) 6A
Collector-Emitter Voltage-Max 100V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NJVMJB41CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2564
NJVMJB41CT4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJB42CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2799
NJVMJB42CT4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJB44H11T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2746
NJVMJB44H11T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJB45H11T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 630
NJVMJB45H11T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJD112G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2791
NJVMJD112G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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