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NJVMJD253T4G-VF01
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NJVMJD253T4G-VF01 Especificaciones técnicas
NJVMJD253T4G-VF01 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE |
Power - Max | 12.5W |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Frequency - Transition | 40MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transition Frequency | 40MHz |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NJVMJD253T4G-VF01 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NJVMJD253T4G-VF01
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NJVMJ" partes
Las siguientes partes incluyen 'NJVMJ'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NJVMJB41CT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2564 |
NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJB42CT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2799 |
NJVMJB42CT4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJB44H11T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2746 |
NJVMJB44H11T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJB45H11T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 630 |
NJVMJB45H11T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJD112G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2791 |
NJVMJD112G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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