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NJL0302DG Especificaciones técnicas

NJL0302DG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-264-5
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 180W
Reach Compliance Code not_compliant
Frequency 30MHz
Pin Count 5
Number of Elements 1
Power Dissipation 180W
Gain Bandwidth Product 30MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 15A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 260V
Collector Base Voltage (VCBO) 260V
hFE Min 75
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 5
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC -260V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating -15A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 260V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 3A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A
Transition Frequency 30MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NJL0302DG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2643

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