NGTB75N65FL2WAG Especificaciones técnicas

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 90ns
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
Gate Charge 310nC
Switching Energy 610μJ (on), 1.2mJ (off)
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Package / Case TO-247-4
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Terminal Finish Tin (Sn)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 536W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 75A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Field Stop
Td (on/off) @ 25°C 23ns/157ns
RoHS Status RoHS Compliant
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NGTB75N60FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2693
NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB75N60FL2WG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB75N60FL2WG IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 531
NGTB75N60L2WG 75N60FL2 IR CIs Calientes Especializados 705
NGTB75N60SWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2579
NGTB75N60SWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB75N60SWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB75N65FL2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 443
NGTB75N65FL2W AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 301

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