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NGTB25N120FL2WAG Especificaciones técnicas

IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 136ns
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Gate Charge 181nC
Switching Energy 990μJ (on), 660μJ (off)
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-247-4
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Terminal Finish Tin (Sn)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 385W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 50A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Field Stop
Td (on/off) @ 25°C 17ns/113ns
RoHS Status RoHS Compliant
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Otros incluyen   "NGTB2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NGTB2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB20N120IH AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 10
NGTB20N120IHL AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 317
NGTB20N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2799
NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHLWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB20N120IHRWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2167
NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHSWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2577
NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHTG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2549

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