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NGB8207NT4G Especificaciones técnicas
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 165W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | NGB8207 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Input Type | Logic |
Transistor Application | AUTOMOTIVE IGNITION |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 365V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 365V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 4V, 20A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 2V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Rise Time-Max | 2700ns |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 165W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 20A |
Turn On Time | 2450 ns |
Turn Off Time-Nom (toff) | 14700 ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 15V |
Fall Time-Max (tf) | 15000ns |
Lead Free | Lead Free |
NGB8207NT4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NGB8207NT4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NGB82" partes
Las siguientes partes incluyen 'NGB82'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NGB8202ANT4G | Hamlin / Littelfuse | Transistores - IGBTs - Individual | 189294 |
NGB8202ANT4G | Littelfuse Inc. | IGBTs individuales | |
NGB8202ANTF4G | Hamlin / Littelfuse | Transistores - IGBTs - Individual | 5924 |
NGB8202ANTF4G | Littelfuse Inc. | IGBTs individuales | |
NGB8202ANTF4G IC | ON/LITTELFUSE | CIs Calientes Especializados | 5840 |
NGB8202N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 609 |
NGB8202NT4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 20000 |
NGB8202NT4 | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGB8202NT4 | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
NGB8202NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 532 |
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