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NE5517DR2G
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NE5517DR2G Especificaciones técnicas
NE5517DR2G datasheet pdf and Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Amplificadores Operacionales Instrumentales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Number of Pins | 16 |
Operating Temperature | 0°C~70°C |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Packing Method | TAPE AND REEL |
Technology | BIPOLAR |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Supply Voltage | 15V |
Base Part Number | NE5517 |
Output Type | Push-Pull |
Number of Elements | 2 |
Number of Circuits | 2 |
Power Dissipation | 1.125W |
Supply Current-Max | 4mA |
Amplifier Type | Transconductance |
Current - Input Bias | 400nA |
Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 4V~44V ±2V~22V |
Output Current per Channel | 650μA |
Input Offset Voltage (Vos) | 5mV |
Unity Gain BW-Nom | 2000 kHz |
Low-Offset | NO |
Voltage - Input Offset | 400μV |
Nominal Gain Bandwidth Product | 2MHz |
Length | 10mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Weight | 665.986997mg |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 16 |
Subcategory | Operational Amplifiers |
Max Power Dissipation | 1.125W |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Functions | 2 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 16 |
Operating Supply Voltage | 30V |
Power Supplies | +-15V |
Operating Supply Current | 2.6mA |
Output Current | 350μA |
Slew Rate | 50V/μs |
Common Mode Rejection Ratio | 80 dB |
Max Input Voltage | -3V |
Halogen Free | Halogen Free |
Supply Type | Dual, Single |
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -15V |
Average Bias Current-Max (IIB) | 8μA |
Frequency Compensation | YES |
Bias Current-Max (IIB) @25C | 5μA |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NE5517DR2G Documentos
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "NE551" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE551'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE5510279A-T1 | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 2749 |
NE5510279A-T1-A | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 16515 |
NE5510279A-T1-A SMD | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 356 |
NE5511279A-T1 | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 15474 |
NE5511279A-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2530 |
NE5511279A-T1-A | CEL | Transistores MOSFET RF | |
NE5512 | PHILIP | CIs Calientes Especializados | 1450 |
NE5512D | PHI | CIs Calientes Especializados | 33151 |
NE5512N | NXP | CIs Calientes Especializados | 5430 |
NE5514D | PHILPS | CIs Calientes Especializados | 1305 |
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