NDFPD1N150CG Especificaciones técnicas

NDFPD1N150CG datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 6.000006g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 2W Ta 20W Tc
Turn On Delay Time 8 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 Ω @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA Ta
Rise Time 13ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 280 ns
Continuous Drain Current (ID) 100mA
Height 4.7mm
Width 10.16mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Length 28.85mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDFPD1N150C AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 90
NDFPD1N150CG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2670

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