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NDF03N60ZH Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 27W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ω @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 372pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 16 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 100 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A Tc
Rise Time 8ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
DS Breakdown Voltage-Min 600V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "NDF03"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NDF03' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDF03N60ZG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 353
NDF03N60ZG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF03N60ZH AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2617

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