MUN5230T1G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 202mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case SC-70, SOT-323
Number of Pins 3
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 202mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number MUN52**T
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 1 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN5211 ZXDZ CIs Calientes Especializados 15500
MUN5211DW1T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 1164
MUN5211DW1T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5211DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2411
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5211T1 ON CIs Calientes Especializados 10800
MUN5211T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5211T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 115900
MUN5211T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5211T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 9207

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