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MUN5215DW1T1G Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 256mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Max Frequency 10kHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Height 1mm
Width 1.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number MUN52**DW1T
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 160
Continuous Collector Current 100mA
Length 2.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'MUN52' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN5211 ZXDZ CIs Calientes Especializados 15500
MUN5211DW1T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 1164
MUN5211DW1T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5211DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2411
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5211T1 ON CIs Calientes Especializados 10800
MUN5211T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5211T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 115900
MUN5211T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5211T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 9207

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