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MUN5137DW1T1G Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signals |
Max Power Dissipation | 250mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | MUN51**DW1T |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.15 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -100mA |
Pin Count | 6 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 250mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | -100mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
MUN5137DW1T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MUN5137DW1T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MUN51" partes
Las siguientes partes incluyen 'MUN51'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MUN5111DW1T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 4000 |
MUN5111DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 139500 |
MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
MUN5111DWT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 2575 |
MUN5111LT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 3000 |
MUN5111T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 2478 |
MUN5111T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN5111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 9700 |
MUN5111T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN5111T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 521 |
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