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MUN5114DW1T1G Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 250mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number MUN51**DW1T
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current -100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'MUN51' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN5111DW1T1 ON CIs Calientes Especializados 4000
MUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 139500
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5111DWT1G ON CIs Calientes Especializados 2575
MUN5111LT1G ON CIs Calientes Especializados 3000
MUN5111T1 ON CIs Calientes Especializados 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 521

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