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MUN2232T1G Especificaciones técnicas

ON SEMICONDUCTOR - MUN2232T1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 4.7K/4.7KOHM, SC-59, FULL REEL

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 338mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number MUN2232
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 k Ω
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 338mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
hFE Min 15
Continuous Collector Current 100mA
Height 1.09mm
Width 1.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'MUN22' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN2211 LRC CIs Calientes Especializados 3300
MUN2211JT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2791
MUN2211JT1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3900
MUN2211JT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211JT1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211RLT1 LRC CIs Calientes Especializados 9500
MUN2211T1 ON CIs Calientes Especializados 6360
MUN2211T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211T1B AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4524

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