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MUN2212T1 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn80Pb20)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 338mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 230mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 100mA
Base Part Number MUN2212
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 60
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN2211 LRC CIs Calientes Especializados 3300
MUN2211JT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2791
MUN2211JT1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3900
MUN2211JT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211JT1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211RLT1 LRC CIs Calientes Especializados 9500
MUN2211T1 ON CIs Calientes Especializados 6360
MUN2211T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211T1B AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4524

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