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MPSW56RLRAG Especificaciones técnicas
MPSW56RLRAG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Voltage - Rated DC | -80V |
Terminal Position | BOTTOM |
Current Rating | -500mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 80V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 250mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 250mA |
Transition Frequency | 50MHz |
Max Breakdown Voltage | 80V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 4V |
Height | 7.87mm |
Width | 4.19mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 50MHz |
Base Part Number | MPSW56 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 1W |
Gain Bandwidth Product | 50MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Collector Emitter Saturation Voltage | -500mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 80V |
hFE Min | 100 |
Length | 5.21mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
MPSW56RLRAG Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MPSW56RLRAG
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MPSW5" partes
Las siguientes partes incluyen 'MPSW5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MPSW51 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MPSW51A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2535 |
MPSW51A | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPSW51AG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2735 |
MPSW51AG | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPSW51ARLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2648 |
MPSW51ARLRA | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPSW51ARLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1107 |
MPSW51ARLRAG | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPSW51ARLRP | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2627 |
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Teclados
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