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MMBT6517LT1G Especificaciones técnicas
MMBT6517LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 225mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 500mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 225mW |
Gain Bandwidth Product | 200MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 350V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 350V |
hFE Min | 20 |
Length | 3.04mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1998 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 350V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 200MHz |
Base Part Number | MMBT6517 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 300mW |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 350V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 40MHz |
Max Breakdown Voltage | 350V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 1.11mm |
Width | 2.64mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MMBT6517LT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MMBT6517LT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MMBT6" partes
Las siguientes partes incluyen 'MMBT6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMBT624LT1 | MOTOROLA | CIs Calientes Especializados | 6500 |
MMBT6426LT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 3500 |
MMBT6427 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 56495 |
MMBT6427 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 56495 |
MMBT6427 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MMBT6427-7 | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2571 |
MMBT6427-7-01-F | Diodes | CIs Calientes Especializados | 2411 |
MMBT6427-7-F | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5338 |
MMBT6427-NL | FSC | CIs Calientes Especializados | 3290 |
MMBT6427FSC | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 24000 |
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