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MMBT2907ALT3G Especificaciones técnicas
MMBT2907ALT3G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 200MHz |
Base Part Number | MMBT2907A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 300mW |
Gain Bandwidth Product | 200MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Collector Emitter Saturation Voltage | -1.6V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 60V |
hFE Min | 75 |
Height | 1.01mm |
Width | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 300mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -600mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 60V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Max Breakdown Voltage | 60V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Turn On Time-Max (ton) | 45ns |
Length | 3.04mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MMBT2907ALT3G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MMBT2907ALT3G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MMBT2" partes
Las siguientes partes incluyen 'MMBT2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMBT200 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 43709 |
MMBT200 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5253 |
MMBT200 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MMBT200A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3353 |
MMBT200A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 33602 |
MMBT200A/MMBT200 | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3236 |
MMBT200LT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 3500 |
MMBT2131T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 18475 |
MMBT2131T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3287 |
MMBT2131T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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