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MJE5730G Especificaciones técnicas
MJE5730G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE |
Voltage - Rated DC | -300V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 10MHz |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 10MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Transition Frequency | 10MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 300V |
hFE Min | 30 |
Length | 6.35mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | TO-220-3 |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 40W |
Current Rating | -1A |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 40W |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 300V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 6.35mm |
Width | 6.35mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MJE5730G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJE5730G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MJE57" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJE57'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJE5730 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2772 |
MJE5730 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5730G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 981 |
MJE5731 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 425 |
MJE5731 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5731A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2711 |
MJE5731A | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5731AG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 540 |
MJE5731AG | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJE5731G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2748 |
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