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MJD31CT4G Especificaciones técnicas

MJD31CT4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 3A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.56W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Transition Frequency 3MHz
Max Breakdown Voltage 100V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.56W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 3MHz
Base Part Number MJD31
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 3MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.2V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 25
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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MJD31CT4G Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "MJD31"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MJD31' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD31 ON CIs Calientes Especializados 38361
MJD31 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 17148
MJD31C STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9361
MJD31C MOS ST CIs Calientes Especializados 609
MJD31C-1 FSC CIs Calientes Especializados 2234
MJD31C-13 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 8100
MJD31C-13 IC Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 3383
MJD31C-1G ON CIs Calientes Especializados 711
MJD31C-ITU FSC CIs Calientes Especializados 20150
MJD31C1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2542

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