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MJD31C1G Especificaciones técnicas
MJD31C1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 100V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 3MHz |
Base Part Number | MJD31 |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 3MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 10V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.2V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 100V |
hFE Min | 25 |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1.56W |
Current Rating | 3A |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 1.56W |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 100V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A 4V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Transition Frequency | 3MHz |
Max Breakdown Voltage | 100V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 6.22mm |
Width | 2.38mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MJD31C1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJD31C1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MJD31" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD31'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD31 | ON | CIs Calientes Especializados | 38361 |
MJD31 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 17148 |
MJD31C | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9361 |
MJD31C MOS | ST | CIs Calientes Especializados | 609 |
MJD31C-1 | FSC | CIs Calientes Especializados | 2234 |
MJD31C-13 | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 8100 |
MJD31C-13 IC | Diodes Incorporated | CIs Calientes Especializados | 3383 |
MJD31C-1G | ON | CIs Calientes Especializados | 711 |
MJD31C-ITU | FSC | CIs Calientes Especializados | 20150 |
MJD31C1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2542 |
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