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MJD2955T4G Especificaciones técnicas

MJD2955T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 22 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.75W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 2MHz
Base Part Number MJD2955
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 2MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.1V
Collector Base Voltage (VCBO) 70V
hFE Min 20
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -60V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -10A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 20W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Transition Frequency 2MHz
Max Breakdown Voltage 60V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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MJD2955T4G Documentos

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Otros incluyen   "MJD29"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MJD29' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD2955 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 793
MJD2955 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD2955 MOS CJ CIs Calientes Especializados 983
MJD2955-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2686
MJD2955-001 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD2955-001 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD2955-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2719
MJD2955-1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD2955-1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD2955-T4 Original CIs Calientes Especializados 2900

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