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MJD2955G Especificaciones técnicas
MJD2955G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -10A |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 1.75W |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 60V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A 4V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Transition Frequency | 2MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 70V |
hFE Min | 20 |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2002 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1.75W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 2MHz |
Base Part Number | MJD2955 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 2MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 10A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.1V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 2.3876mm |
Width | 6.223mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MJD2955G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJD2955G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MJD29" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD29'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD2955 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 793 |
MJD2955 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD2955 MOS | CJ | CIs Calientes Especializados | 983 |
MJD2955-001 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2686 |
MJD2955-001 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD2955-001 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MJD2955-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2719 |
MJD2955-1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD2955-1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MJD2955-T4 | Original | CIs Calientes Especializados | 2900 |
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