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MJD200T4G Especificaciones técnicas

MJD200T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 5A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.4W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Transition Frequency 65MHz
Max Breakdown Voltage 25V
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 12.5W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 65MHz
Base Part Number MJD200
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 65MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 70
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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MJD200T4G Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJD200T4G

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "MJD20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MJD20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD200 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 310
MJD200 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD200 MOS MOTOROLA CIs Calientes Especializados 5991
MJD200G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 397
MJD200G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD200RL MOT CIs Calientes Especializados 20871
MJD200RLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20000
MJD200RLG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD200T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1793
MJD200T4 ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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