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MJD127T4G Especificaciones técnicas

MJD127T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -8A
Base Part Number MJD127
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Polarity PNP
Power Dissipation 20W
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Frequency - Transition 4MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.75W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Transition Frequency 4MHz
Max Breakdown Voltage 100V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
Continuous Collector Current 8A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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MJD127T4G Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJD127T4G

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "MJD12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MJD12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD121E300 NA CIs Calientes Especializados 2262
MJD122 Original CIs Calientes Especializados 5215
MJD122 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 583
MJD122-1 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 7400
MJD122-1G ON CIs Calientes Especializados 10371
MJD122-1G/MJD127 ON/FAI CIs Calientes Especializados 10000
MJD122-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2572
MJD122-TP Micro Commercial Co Transistores BJT individuales
MJD122/127 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3205
MJD122/MJD127 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 265315

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