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MJD127G Especificaciones técnicas
MJD127G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Weight | 4.535924g |
Manufacturer Package Identifier | CASE 369C ISSUE F |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -100V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -8A |
Base Part Number | MJD127 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 1.75W |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Max Collector Current | 8A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 100V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 100V |
Continuous Collector Current | 8A |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2002 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1.75W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 100V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A 4V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Transition Frequency | 4MHz |
Frequency - Transition | 4MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MJD127G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJD127G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MJD12" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD121E300 | NA | CIs Calientes Especializados | 2262 |
MJD122 | Original | CIs Calientes Especializados | 5215 |
MJD122 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 583 |
MJD122-1 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 7400 |
MJD122-1G | ON | CIs Calientes Especializados | 10371 |
MJD122-1G/MJD127 | ON/FAI | CIs Calientes Especializados | 10000 |
MJD122-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2572 |
MJD122-TP | Micro Commercial Co | Transistores BJT individuales | |
MJD122/127 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3205 |
MJD122/MJD127 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 265315 |
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