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MGSF2N02ELT1G Especificaciones técnicas
MGSF2N02ELT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 85MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 2.8A |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation-Max | 1.25W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A Ta |
Rise Time | 95ns |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
Nominal Vgs | 500 mV |
Length | 3.04mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 20V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.25W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85m Ω @ 3.6A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 95 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.8A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 5A |
Height | 1.01mm |
Width | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MGSF2N02ELT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MGSF2N02ELT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MGSF2" partes
Las siguientes partes incluyen 'MGSF2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MGSF2N02 | Original | CIs Calientes Especializados | 3317 |
MGSF2N02EL | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 38311 |
MGSF2N02EL1G | O | CIs Calientes Especializados | 10000 |
MGSF2N02ELT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 87070 |
MGSF2N02ELT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 234659 |
MGSF2N02ELT1G IC | MSV | CIs Calientes Especializados | 3406 |
MGSF2N02ELT1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6985 |
MGSF2N02LT1G | ONSEMI | CIs Calientes Especializados | 25515 |
MGSF2P02HD | ON | CIs Calientes Especializados | 6586 |
MGSF2P02HDT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 1927 |
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