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MBT3906DW1T2G Especificaciones técnicas

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 150mW
Polarity PNP
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA 1V
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Frequency - Transition 250MHz
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Pin Count 6
Power - Max 150mW
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 200mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 250MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MBT3904 CJ CIs Calientes Especializados 6063
MBT3904DW ON CIs Calientes Especializados 1440
MBT3904DW1G ON CIs Calientes Especializados 9000
MBT3904DW1T1 ON CIs Calientes Especializados 29621
MBT3904DW1T1 Rochester Electronics, LLC Matrices BJT Transistores
MBT3904DW1T1 MA4 ON CIs Calientes Especializados 5000
MBT3904DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 5437
MBT3904DW1T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
MBT3904DW1T1H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2512
MBT3904DW1T1H ON Semiconductor Matrices BJT Transistores

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