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MBT35200MT1G Especificaciones técnicas

MBT35200MT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -35V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 100MHz
Base Part Number MBT35200
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 35V
Collector Emitter Saturation Voltage -260mV
Collector Base Voltage (VCBO) 55V
hFE Min 100
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case SOT-23-6
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -2A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Element Configuration Single
Power - Max 625mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 35V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A 1.5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 35V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "MBT35"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MBT35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MBT35200MT ON CIs Calientes Especializados 1437
MBT35200MT1 ON CIs Calientes Especializados 15199
MBT35200MT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 89307
MBT35200MT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6324
MBT35200MT2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2792
MBT35200MT2G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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