KST10MTF Especificaciones técnicas

TRANS NPN 25V 350MW SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 650MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 350mW
Gain Bandwidth Product 650MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 60
Height 960μm
Width 1.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Position DUAL
Current Rating 4mA
Base Part Number KST10
Element Configuration Single
Output Power 350mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA 10V
Transition Frequency 650MHz
Max Breakdown Voltage 25V
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Collector-Base Capacitance-Max 0.7pF
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KST10MFT FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 30500
KST10MTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 5294
KST10MTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 245467

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