KSP10BU Especificaciones técnicas

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 179mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Current Rating 100mA
Base Part Number KSP10
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 650MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Collector-Base Capacitance-Max 0.7pF
Length 4.58mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Position BOTTOM
Frequency 650MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 350mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA 10V
Transition Frequency 650MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 60
Height 4.58mm
Width 3.86mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSP10 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 80023
KSP10BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 4719
KSP10BU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 109990
KSP10G OTAX CIs Calientes Especializados 414
KSP10TA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2761
KSP10TA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 0
KSP10TA ON Semiconductor Transistores BJT RF

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