KSE2955T Especificaciones técnicas

KSE2955T datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2001
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 600mW
Frequency 2MHz
Polarity PNP
Power Dissipation 600mW
Gain Bandwidth Product 2MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Frequency - Transition 2MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -60V
Current Rating -10A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 600mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 700μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Collector Base Voltage (VCBO) -70V
hFE Min 20
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSE2955 FSC CIs Calientes Especializados 2714
KSE2955T AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2764
KSE2955T Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2665
KSE2955T Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSE2955TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2755
KSE2955TTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2625
KSE2955TTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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