KSC2756OMTF Especificaciones técnicas

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 150mW
Frequency 850MHz
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 850MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 5mA 10V
Gain 15dB ~ 23dB
Emitter Base Voltage (VEBO) 4V
Noise Figure (dB Typ @ f) 6.5dB @ 200MHz
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 20V
Current Rating 30mA
Number of Elements 1
Power Dissipation 150mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 30mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 60
RoHS Status RoHS Compliant
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KSC2710GBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSC2710GBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2571
KSC2710GTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2573
KSC2710GTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSC2710YBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2575
KSC2710YBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2752
KSC2710YTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2538
KSC2710YTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2752
KSC2715OMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2674
KSC2715OMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2779

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