HGTP12N60A4 Especificaciones técnicas

HGTP12N60A4 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Reach Compliance Code compliant
Input Type Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 12A, 10 Ω, 15V
Gate Charge 78nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/96ns
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Base Part Number HGTP12N60
Power - Max 167W
Current - Collector (Ic) (Max) 54A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Current - Collector Pulsed (Icm) 96A
Switching Energy 55μJ (on), 50μJ (off)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGTP10N120BN Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2452
HGTP10N120BN AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 28278
HGTP10N120BN ON Semiconductor IGBTs individuales
HGTP10N40C1 FSC CIs Calientes Especializados 12388
HGTP10N40E1D Intersil CIs Calientes Especializados 20000
HGTP10N40F1D FSC CIs Calientes Especializados 32388
HGTP10N50C1 Intersil CIs Calientes Especializados 20000
HGTP10N50C1D FSC CIs Calientes Especializados 7
HGTP11N120CN FSC CIs Calientes Especializados 12840
HGTP11N120CND FSC CIs Calientes Especializados 12826

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