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HGTD3N60C3S9A
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HGTD3N60C3S9A Especificaciones técnicas
HGTD3N60C3S9A datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Part Status | Obsolete |
Voltage - Rated DC | 600V |
Current Rating | 6A |
Power Dissipation | 33W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Test Condition | 480V, 3A, 82 Ω, 15V |
Gate Charge | 10.8nC |
Switching Energy | 85μJ (on), 245μJ (off) |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 33W |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Max Collector Current | 6A |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
RoHS Status | RoHS Compliant |
HGTD3N60C3S9A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para HGTD3N60C3S9A
-
Hojas de datos
Otros incluyen "HGTD3" partes
Las siguientes partes incluyen 'HGTD3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
HGTD3N60C3S | INTERSIL | CIs Calientes Especializados | 848 |
HGTD3N60C3S9A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2797 |
HGTD3N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2694 |
HGTD3N60C3S9A | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales |
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