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HGTD1N120BNS9A
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HGTD1N120BNS9A Especificaciones técnicas
HGTD1N120BNS9A datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 60W |
Current Rating | 5.3A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Rise Time-Max | 14ns |
Power Dissipation | 60W |
Input Type | Standard |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Turn-Off Delay Time | 67 ns |
Max Collector Current | 5.3A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5V |
Turn On Time | 24 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 6A |
Switching Energy | 70μJ (on), 90μJ (off) |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Voltage - Rated DC | 1.2kV |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | HGTD1N120 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Max Breakdown Voltage | 1.2kV |
Test Condition | 960V, 1A, 82 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 333 ns |
Gate Charge | 14nC |
Td (on/off) @ 25°C | 15ns/67ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
HGTD1N120BNS9A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para HGTD1N120BNS9A
-
Hojas de datos
Otros incluyen "HGTD1" partes
Las siguientes partes incluyen 'HGTD1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
HGTD1N120B | FAIRCHLD | CIs Calientes Especializados | 2588 |
HGTD1N120BNS | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 2651 |
HGTD1N120BNS9A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2615 |
HGTD1N120BNS9A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 1486 |
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