HGT1S3N60A4DS9A Especificaciones técnicas

IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Element Configuration Single
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 19 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Switching Energy 37μJ (on), 25μJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 70W
Power Dissipation 70W
Power - Max 70W
Max Collector Current 17A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 17A
Test Condition 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge 21nC
Td (on/off) @ 25°C 6ns/73ns
RoHS Status RoHS Compliant
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HGT1S10N120BNS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3141
HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1180
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor IGBTs individuales
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3181
HGT1S10N120BNST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5213
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor IGBTs individuales
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 647
HGT1S12N60A4DS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2995
HGT1S12N60A4DS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 578
HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor IGBTs individuales

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